Статьи автора

ИССЛЕДОВАНИЕ ТЕРМИЧЕСКОГО РАСШИРЕНИЯ НАНОСТРУКТУРИРОВАННЫХ ТЕРМОЭЛЕКТРИЧЕСКИХ МАТЕРИАЛОВ НА ОСНОВЕ (Bi,Sb)Te

Номер выпуска 3 от 17.02.2026

Исследованы температурные зависимости коэффициентов термического линейного расширения наноструктурированных низкотемпературных термоэлектрических материалов на основе BiTeSe и BiSbTe и среднетемпературных термоэлектрических материалов на основе BiTeSe и BiSbTe. Наноструктурированные термоэлектрические материалы получали методом искрового плазменного спекания нанодисперсных порошков предварительно синтезированных материалов. Нанодисперсные порошки подготовлены с помощью планетарной шаровой мельницы. Измерена плотность и микротвердость наноструктурированных термоэлектрических материалов. Коэффициент термического линейного расширения измерялся в интервале температур 200–600 К дилатометрическим методом в параллельном и перпендикулярном направлениях к оси прессования образцов термоэлектрических материалов. Коэффициент анизотропии термического линейного расширения составил 1.18. Коэффициенты термического линейного расширения в интервале исследованных температур составили для BiTeSe от 16.9 × 10 до 17.3 × 10 K, для BiSbTe — от 15.3 × 10 до 16.4 × 10 K, для BiTeSe и BiSbTe — (14.3 ± 0.3) × 10 K. Коэффициенты термического линейного расширения для материалов - и -типа имеют близкие значения.

24 0