By this author

ОСОБЕННОСТИ ПЕРЕХОДА ДИЭЛЕКТРИЧЕСКОЙ ПРОНИЦАЕМОСТИ В ОБЛАСТЬ ОТРИЦАТЕЛЬНЫХ ЗНАЧЕНИЙ В ЛЕГИРОВАННОМ КРЕМНИИ В ТЕРАГЕРЦЕВОМ ДИАПАЗОНЕ СПЕКТРА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ СИЛЬНЫХ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ

Issue number 4 from 17.02.2026

Представлены результаты экспериментальных исследований перехода диэлектрической проницаемости легированного кремния -типа в отрицательную область значений в терагерцевом спектральном диапазоне при воздействии электромагнитной волны с амплитудой электрического поля до 9 МВ/см. Экспериментально показано, что при напряженности электрического поля ~100 кВ/см в спектре коэффициента отражения наблюдается минимум, обусловленный равенством частоты источника ТГц-излучения и плазменной частоты, при котором действительная часть диэлектрической проницаемости кремния становится отрицательной. При увеличении напряженности электрического поля свыше 1 МВ/см переход диэлектрической проницаемости в область отрицательных значений определяется концентрацией носителей, частотой электронных столкновений и не зависит от частоты этой волны. При этом минимум в коэффициенте отражения исчезает, и коэффициент отражения остается практически постоянным во всем исследуемом спектральном диапазоне от 0.8 до 2.5 ТГц. В этом случае действительная часть диэлектрической проницаемости переходит в область отрицательных значений при равенстве плазменной частоты и частоты электронных столкновений.

16 0

НЕЛИНЕЙНОЕ ПРОПУСКАНИЕ ТЕЛЛУРИДА ЦИНКА, ИНДУЦИРОВАННОЕ ТЕРАГЕРЦЕВЫМИ ИМПУЛЬСАМИ С ВЫСОКОЙ НАПРЯЖЕННОСТЬЮ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО ПОЛЯ

Issue number 5 from 16.09.2025

В работе представлены новые экспериментальные данные о взаимодействии импульсов терагерцевого излучения с кристаллом теллурида цинка ZnTe. Обнаружено, что с ростом напряженности электрического поля терагерцевого импульса коэффициент пропускания кристалла ZnTe увеличивается относительно его начального значения. Максимальное увеличение коэффициента пропускания наблюдается при напряженности поля 10 МВ/см и достигает ~2.5 раз.

12 0